http://patft.uspto.gov/netacgi/nph-Parser?Sect1=PTO1&Sect2=HITOFF&d=PALL&p=1&u=%2Fnetahtml%2FPTO%2Fsrchnum.htm&r=1&f=G&l=50&s1=5676977.PN.&OS=PN/5676977&RS=PN/5676977
Patente de Estados Unidos 5.676.977
Antelman 14 de octubre 1997
Método de curar el SIDA con tetrasilver dispositivos de cristal molecular tetróxido
Abstracto
El tetróxido de tetrasilver cristal molecular semiconductor diamagnético (Ag.sub.4 O.sub.4) se utiliza para destruir el virus del SIDA, la destrucción de los agentes patógenos del SIDA sinérgicos y la supresión de la inmunidad restos (ISM) en los seres humanos. Una sola inyección intravenosa de los dispositivos es todo lo que se requiere para la eficacia a niveles de aproximadamente 40 ppm de la sangre humana. El cristal molecular dispositivo contiene dos mono y dos iones de plata trivalentes capaces de electrones "de tiro", capaces de electrocutar el virus del SIDA, los patógenos y ISM. Cuando se administra en el torrente sanguíneo, los electrones de dispositivo se activan por patógenos, un virus de la proliferación y ISM, y cuando se disparan activarán simultáneamente un mecanismo de quelación redox resultante en restos de plata divalentes que quelan y se unen los sitios activos de las entidades destruirlos. Los dispositivos son completamente no tóxicos. Sin embargo, ponen tensión en el hígado que causa hepatomegalia, pero no hay pérdida de la función del hígado.
